AI芯片硬件正迎来三重技术变革，从材料、架构到算力模式全面升级，产业格局重塑在即。
碳化硅成AI硬件新宠，千亿市场待爆发
第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）正成为AI硬件升级的关键推手。在AI数据中心向800V高压直流架构演进过程中，传统硅基功率器件已无法满足需求，SiC功率器件成为唯一选择。更值得关注的是，英伟达、台积电计划将SiC应用于先进封装中介层，替代传统硅材料解决散热瓶颈。仅AI芯片封装这一细分领域，2030年全球SiC衬底需求就将达到620万片，CAGR超过100%的增长预期并非空中楼阁。
存算一体技术实现突破性进展
中科院发布的Ouroboros晶圆级存算一体芯片展现出惊人性能：在Llama 13B模型上实现15万tokens/s的推理速度，性能和能效分别是现有顶尖系统的4.1倍和4.2倍。与此同时，第三代神经形态芯片通过事件驱动架构突破冯·诺依曼瓶颈，能耗降低90%。这些技术路线为打破现有AI芯片垄断格局提供了新的可能性。
值得注意的是，寒武纪实现对DeepSeek-V4的”Day 0″适配，标志着国产AI芯片生态正在快速成熟，软硬件协同优化能力显著提升。
从材料革新到架构突破，AI芯片正在摆脱单纯堆叠算力的粗放模式，转向精细化、差异化竞争新阶段。